GAA, Gate-All-Around

- 뜻풀이

• 트랜지스터의 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 전류를 흘리는데, 채널 4면과 게이트가 맞닿은 방식이며 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어하는 등 채널 조절 능력을 극대화시킬 수 있다.

 

GAA 기술 설명 (출처 : 삼성전자 뉴스룸)

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• AMD, 3nm GAA 공정으로 신제품을 양산 계획 발표
• 삼성, 현재 3nm 공정에 GAA기술 도입한 유일한 업체로 수혜 예상
• AMD, TSMC의 선단 공정으로 CPU,GPU을 오랜 기간 양산했으나 TSMC와 인텔은 2nm부터 GAA 기술 적용 예정

 

 

• 미국은 TSMC에 15.7조 지원하며 사상 최대 외국기업의 대미 투자가 커질 것이라는 관측
• 삼성도 파운드리 팹을 비록해 첨단 패키징 시설, 연구개발 센터 건설 계획
• 전문가들은 GAA 기술을 3나노 공정부터 적용했으며, TSMC와 의 격차를 줄이는 핵심 기술이 될 전망
• 삼성, AI반도체 턴키 공급이 가능한 유일한 업체이며 미국 내 첨단 패키징 시설만 확보하면 고객사 공략에 유리

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- 연관된 용어

• 파운드리
• 핀펫(FinFET)

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- 확장개념

• 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지지터 구조이다.
• 기존 3개면이 맞닿은 핀펫 대비 고성능·저전력 반도체를 구현할 수 있다.

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- 함께 보면 더 도움 되는 기술용어

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