Gäa2 FinFET, Fin Field-Effect Transistor - 뜻풀이트랜지스터의 크기가 미세화될수록 소스와 드레인 간 거리가 가까워져 누설전류가 발생한다. 이를 막기 위해 개발된 입체 구조의 제조 공정 기술로 게이트와 채널이 3면에서 맞닿는다.- 기사에서 찾아보기각 기사를 클릭하면 더 자세한 내용을 볼 수 있습니다.에이디테크놀로지, AI(인공지능)와 HPC(고성능컴퓨팅) 향 반도체 개발 플랫폼과 커스텀 라이브러리 기술 선보일 예정아나플래시와 공동으로 28nm 제로 레이어 임베디드 비휘발성 메모리 IP도 예정됨아나플래시 임베디드 비휘발성 메모리 기술, 14 나노 표준 핀펫(FinFET) 로직 공정을 이용함. 삼성전자, 내년 출시 예정인 갤럭시 S25 시리즈에 차세대 모바일 AI '엑시노스 2500'이 탑재될 것시놉시스와 협업해 3nm 공정 기반 모바일 AP 등 .. 2024. 5. 31. GAA, Gate-All-Around - 뜻풀이트랜지스터의 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 전류를 흘리는데, 채널 4면과 게이트가 맞닿은 방식이며 전류의 흐름을 보다 세밀하게 제어하는 등 채널 조절 능력을 극대화시킬 수 있다. - 기사에서 찾아보기각 기사를 클릭하면 더 자세한 내용을 볼 수 있습니다. AMD, 3nm GAA 공정으로 신제품을 양산 계획 발표삼성, 현재 3nm 공정에 GAA기술 도입한 유일한 업체로 수혜 예상AMD, TSMC의 선단 공정으로 CPU,GPU을 오랜 기간 양산했으나 TSMC와 인텔은 2nm부터 GAA 기술 적용 예정 미국은 TSMC에 15.7조 지원하며 사상 최대 외국기업의 대미 투자가 커질 것이라는 관측삼성도 파운드리 팹을 비록해 첨단 패키징 시설, 연구개발 센터 건설 계획전문가들은 GAA 기술을 3나노.. 2024. 5. 30. 이전 1 다음
